¿Es el Nitruro de Galio (GaN) el nuevo Súper Cargador?


Cada año la industria tecnológica sale con más aparatos y artilugios para que los amemos y juguemos. Estos artilugios son maravillas de la ingeniería, elegantes y pulidos y finamente pulidos a la perfección. La única limitación molesta es siempre la energía, lo que obliga a los usuarios a tratar con grandes y feos cargadores. Para la mayoría de los teléfonos celulares, el volumen de espacio que ocupa el cargador es casi igual al del propio teléfono. Y los “ladrillos de energía” de las computadoras portátiles son a menudo tan masivos que podrían ser utilizados para infligir graves daños en las cabezas de los posibles atacantes. En algunos casos, estos cargadores pesan casi tanto como el portátil. A la hora de la verdad, la verdadera portabilidad de un dispositivo depende tanto de su cargador como del propio dispositivo.

Bueno, hay buenas noticias en el horizonte. Surgida de la industria de los LED, la tecnología de nitruro de galio se está abriendo camino en las principales industrias de semiconductores y cargadores. El nitruro de galio (también conocido por su símbolo químico, GaN) está reemplazando lentamente al silicio como material de elección para muchos fabricantes de chips. En este momento, sigue siendo más costoso producir chips de GaN que de silicio, pero a medida que más y más titanes de la industria cambian y el volumen aumenta, los costos bajarán como lo han hecho con cualquier otra nueva tecnología.

Sin volvernos demasiado técnicos, la razón para el cambio al GaN es que tiene una brecha de aire, también llamada “bandgap”, que es aproximadamente tres veces el tamaño de la que se encuentra en el silicio. Esta mayor brecha hace que el GaN sea un mejor conductor de la electricidad. La electricidad fluye más libre y rápidamente, permitiendo una operación más segura a mayores voltajes y temperaturas de lo que sería posible con el silicio. Esto significa que los circuitos integrados de GaN son más pequeños, más rápidos y más eficientes en cuanto a energía (lo que significa que son más fríos).

El silicio se ha utilizado ampliamente en la electrónica durante años. Una razón de su popularidad es que no es tóxico para los humanos y animales. Esto no puede decirse de algunos de los otros materiales utilizados para hacer chips, como el germanio y el arseniuro de galio. El germanio, aunque no es estrictamente tóxico, se sabe que causa problemas hepáticos en los humanos y con una exposición prolongada incluso la muerte. El arseniuro de galio es definitivamente tóxico para los humanos y los animales. La Unión Europea clasifica el GaAs como un cancerígeno de categoría 1B… ¡caramba! El nitruro de galio, por otra parte, se ha encontrado que es tan no tóxico como el silicio. Es lo suficientemente seguro para ser usado en implantes biomédicos. Como una alternativa no tóxica, más eficiente en energía y de menor huella que el silicio, los GaAs deberían satisfacer incluso a los más acérrimos eco-guerreros.

Los primeros en adoptar el GaN en el campo de los cargadores, como Anker, Belkin, y RAVPower, ya tienen productos cargadores de GaN disponibles para el consumidor. Estos cargadores son típicamente un 40% más pequeños, pero aún así mantienen sus precios en línea con sus primos de silicona hinchada. De interés periodístico es el proyecto Kickstarter, el cargador de GaN HyperJuice. Se anuncia como el cargador más pequeño del mundo, capaz de obtener la friolera de 100W (el primer cargador de GaN que alcanza este nivel de potencia). Tiene aproximadamente el tamaño de una baraja de cartas y tiene dos conectores USB-C y dos USB-A.

A medida que más y más proveedores y fabricantes de GaN se conecten, el número de opciones de cargadores de GaN aumentará dramáticamente. El aumento de la competencia que resultará, junto con el menor tamaño y otros beneficios de la propia GaN, debería hacer bajar rápidamente el precio de los cargadores de GaN y aumentar su popularidad. Asegúrate de conseguir el tuyo y obtener un “cargo” de esta nueva tecnología.


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